股市策略国产存储芯片追赶速度惊人，NAND 差距约 1 年，DRAM 约 2 年，HBM 约 3 年

韩国半导体产业协会最新评估显示，中国存储芯片厂商与领先厂商之间的技术差距正在迅速缩小。长江存储（YMTC）在 NAND 闪存方面仅落后约 1 年；长鑫存储（CXMT）在 DRAM 方面落后约 2 年，在 HBM 方面落后约 3 年。而就在不久前，这一差距还普遍被认为在 5 年左右。

《韩国中央日报》援引韩国半导体产业协会的说法称：

“韩国与中国在存储芯片领域的技术差距已经缩小到：HBM 领域三年，DRAM 领域两年，NAND 闪存领域一年。”

这一变化最令人惊讶的，是中国半导体产业追赶的规模与速度。

NAND：长江存储有望把差距压缩到约 1 年

三星和 SK 海力士于 2025 年开始生产 300 层 NAND 闪存，当时长江存储生产的是 270 层 NAND。到 2027年，长江存储预计将转向 400 层 NAND，届时其与三星、SK 海力士的差距可能缩小到仅约 1 年。

DRAM：长鑫存储落后约 2 年

三星和 SK 海力士于 2023 年开始生产 DDR5 内存，而长鑫存储到 2025 年才开始生产 DDR5 内存模块，两者相差约两年。不过，长鑫存储已经开始量产 LPDDR5X，并刚刚开始生产 LPDDR6。

HBM：长鑫存储落后约 3 年

在 HBM 方面，长鑫存储目前落后约 3 年。它刚刚开始 HBM3E 模块试生产，但良率仅约 25%。这家 DRAM 厂商仍在努力攻克用于垂直连接内存堆叠的硅通孔（TSV）技术。

据报道，长鑫存储在 G4 工艺上构建 HBM3E 堆叠时，借鉴了长江存储 X-Stacking 3D NAND 方案的思路。该方案并非完全依赖传统微凸点来连接堆叠的 DRAM 芯片，而是利用铜-铜混合键合技术，将晶圆间的铜互连线合并，从而缩短堆叠 DRAM 层之间的电路路径。关键在于，这种架构使长鑫存储和长江存储无需依赖极紫外（EUV）光刻设备，也能制造出有竞争力的 HBM 架构。

长鑫存储预计今年还将从上海爱世格纳和宇良生（音译）等厂商接收一些国产 DUV 光刻设备。不过，这些 DUV 设备制造商仍面临瓶颈，尤其是在投影镜头和光源方面。

产能扩张：长鑫存储目标激进

长鑫存储正在积极扩充产能。公司计划到 2026 年底，通过三座 300 毫米 DRAM 晶圆厂实现每月 30 万片晶圆的产能，每座晶圆厂月产能约 10 万片。此外，到 2026 年底，其 HBM 晶圆产能预计将达到每月约 5 万片。

长鑫存储目前还在上海和合肥建设两座新晶圆厂。这些工厂投产后，其月产能将提升至 60 万片晶圆。事实上，长鑫存储有望在 2030 年之前，在量产规模上超越美光。

技术路线：HKMG 与更先进节点

为了克服制程微缩的限制，长鑫存储显然正在使用高介电常数金属栅极（HKMG）技术。该技术用氧化铪（HfO₂）等材料取代旧的硅基绝缘体，不仅能抑制电流泄漏和相关的热能浪费，还能提高能效，并为更高速度铺平道路——因为晶体管能够比使用多晶硅栅极时更快地切换状态。

鉴于长鑫存储已将这项技术应用于其 G4 DRAM 制造工艺（普遍认为该工艺采用 1z 节点）以及 LPDDR5X 产品，可以合理推断该公司即将转向更先进的 1a 节点。考虑到长鑫存储已经在开发下一代 15nm G5 DRAM 制造工艺，这种可能性更大。

长江存储产能展望

至于长江存储，预计到 2027 年初，其产能将达到每月 30 万片晶圆，其中一部分将用于生产 LPDDR。待长江存储的两座新晶圆厂于 2027 年投产后，其总产能到 2028 年将增长至每月 45 万至 50 万片晶圆。相比之下，三星到 2027 年底的 NAND 产能预计为每月 35 万片晶圆。

本文来自微信公众号“Tech商业”，36氪经授权发布。

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